InGaAs PIN фотодиоды ДФД1000ТО-К

Особенности

Высокая чувствительность на 1.3 мкм и 1.55 мкм
Спектральный диапазон 0.85-1.7 мкм
Низкий темновой ток
Активный диаметр 1000 мкм
Конструкция с вводом излучения через мезаструктуру
Корпус типа ТО-18

Области применения

Измерительная аппаратура для ВОЛС
Сенсоры
Спектроскопия
Приемные модули с предусилителем

Краткое описание

PIN InGaAs/InP фотодиоды типа ДФД1000 созданы для прямого преобразования оптических сигналов в электрические в ближнем инфракрасном диапазоне. Модель ДФД1000 разработана для использования в качестве датчиков приема ИК оптического сигнала и имеет конструкцию с вводом излучения через мезаструктуру с относительно большими активными размерами 1000 мкм. Фотодетекторы ДФД1000 также могут использоваться для оптических линий связи. Фотодиод поставляется в корпусе типа ТО-18 со стеклянным окном.

Технические характеристики (V_r = – 5В, 25°C)

Модель	Фоточувств. площ., мкм	Спектральная чувствительность, А/Вт						Темновой ток, нА		Ёмкость, пФ		Корпусное исполнение
		850 нм		1300 нм		1550 нм		тип	макс	тип	макс
		мин	тип	мин	тип	мин	тип	тип	макс	тип	макс
ДФД1000ТО-К	1000	0.15	0.20	0.75	0.85	0.80	0.90	20	60	35.0	60	С

Предельно допустимые значения

Параметр	Значение
Напряжение обратного смещения	10 В
Обратный фототок	3 мA
Прямой ток	5 мA
Рабочая температура	-60…+55°C
Температура хранения	-60…+70°C

Контакты:

1. Катод ("+" смещение)
2. Анод ("–" смещение)
3. Корпус

Размеры: мм

InGaAs PIN фотодиоды ДФД1000ТО-К

Спектральная характеристика