InGaAs PIN фотодиоды ДФД1000ТО

Особенности

Высокая чувствительность на 1.3 мкм и 1.55 мкм
Спектральный диапазон 0.95-1.7 мкм
Низкий темновой ток
Активный диаметр 1000 мкм
Конструкция с вводом излучения через мезаструктуру
Корпус типа ТО-18

Области применения

Измерительная аппаратура для ВОЛС
Сенсоры
Спектроскопия
Приемные модули с предусилителем

Краткое описание

PIN InGaAs/InP фотодиоды типа ДФД1000 созданы для прямого преобразования оптических сигналов в электрические в ближнем инфракрасном диапазоне. Модель ДФД1000 разработана для использования в качестве датчиков приема ИК оптического сигнала и имеет конструкцию с вводом излучения через мезаструктуру с относительно большими активными размерами 1000 мкм. Фотодетекторы ДФД1000 также могут использоваться для оптических линий связи. Фотодиод поставляется в корпусе типа ТО-18 со стеклянным окном.

Технические характеристики (V_r = – 5В, 25°C)

Модель	Фоточувств. площ., мкм	Спектральная чувствительность, А/Вт				Темновой ток, нА		Ёмкость, пФ		Корпусное исполнение
		1300 нм		1550 нм		тип	макс	тип	макс
		мин	тип	мин	тип	тип	макс	тип	макс
ДФД1000ТО	1000	0.75	0.85	0.80	0.90	20	40	35.0	40	С

Предельно допустимые значения

Параметр	Значение
Напряжение обратного смещения	10 В
Обратный фототок	3 мA
Прямой ток	5 мA
Рабочая температура	-60…+55°C
Температура хранения	-60…+70°C

Контакты:

1. Катод ("+" смещение)
2. Анод ("–" смещение)
3. Корпус

Размеры: мм

Спектральная характеристика

InGaAs PIN фотодиоды ДФД1000ТО