InGaAs PIN фотодиоды ДФД2000ТС

Особенности

Высокая чувствительность на 1.3 мкм и 1.55 мкм
Спектральный диапазон 0.95-1.7 мкм
Низкий темновой ток
Активный диаметр приемной площадки 2000 мкм
Конструкция с вводом излучения через мезаструктуру
Термостабилизированный корпус (в состав входит термоэлемент Пельтье и термистор)
Корпус типа ТО-3 или ТО-5

Области применения

Тестовое оборудование для ВОЛС
Термометрия
Дальнометрия
Спектроскопия

Краткое описание

PIN InGaAs/InP фотодиоды типа ДФД2000ТС созданы для прямого преобразования оптических сигналов в электрические в ближнем инфракрасном диапазоне. Модель ДФД2000ТС разработана для использования в качестве датчиков приема ИК оптического сигнала и имеет конструкцию с вводом излучения через мезаструктуру с большим активным размером 2000 мкм. Имеются два типа исполнения: термостабилизированный корпус типа ТО-3 и ТО-5 со стеклянным окном (в состав входит термоэлемент Пельтье и термистор).

Корпус типа ТО-3

Корпус типа ТО-5

Технические характеристики (V_r = – 5В, 25°C)

Модель	Фоточувств. площ., мкм	Спектральная чувствительность, А/Вт				Темновой ток, нА		Ёмкость, пФ		Время откл., нс (тип)	Корпусное исполнение
		1300нм		1500нм		тип	макс	тип	макс
		мин	тип	мин	тип	тип	макс	тип	макс
ДФД2000ТС	2000	0.65	0.75	0.75	0.85	120	200	270	350	30	С
Корпус типа ТО-3 со стеклянным окном Корпус типа ТО-5 со стеклянным окном

Предельно допустимые значения

Параметр	Значение
Напряжение обратного смещения	10 В
Обратный фототок	3 мA
Прямой ток	5 мA
Рабочая температура	-60…+55°C
Температура хранения	-60…+70°C

Обозначение выводов

Корпус ТО-3

№ контакта	Описание
1	Термоэлемент (+)
2	Фотодиод (+)
3
4	Термистор
5	Термистор
6
7	Фотодиод (–)
8	Термоэлемент (–)

Корпус ТО-5

№ контакта	Описание
1	Термоэлемент (–)
2
3	Термоэлемент (+)
4	Фотодиод (–)
5	Термистор
6
7	Термистор
8	Фотодиод (+)