InGaAs PIN фотодиоды ДФД1000ТС
Особенности
|
Области применения
|
Краткое описание
PIN InGaAs/InP фотодиоды типа ДФД1000 созданы для прямого преобразования оптических сигналов в электрические в ближнем инфракрасном диапазоне. Модель ДФД1000 разработана для использования в качестве датчиков приема ИК оптического сигнала и имеет конструкцию с вводом излучения через мезаструктуру с относительно большими активными размерами 1000 мкм. Фотодетекторы ДФД1000 также могут использоваться для оптических линий связи. Фотодиод поставляется в термостабилизированном корпусе типа ТО-5 со стеклянным окном (в состав входит термоэлемент Пельтье и термистор). |
 |
 |
Технические характеристики (Vr = – 5В, 25°C)
| Модель | Фоточувств. площ., мкм |
Спектральная чувствительность, А/Вт |
Темновой ток, нА |
Ёмкость, пФ |
Корпус. исполн. |
|||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1300 нм | 1550 нм | тип | макс | тип | макс | |||||
| мин | тип | мин | тип | |||||||
| ДФД1000ТО | 1000 | 0.75 | 0.85 | 0.80 | 0.90 | 20 | 40 | 35.0 | 40 | С |
Предельно допустимые значения
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Напряжение обратного смещения | 10 В |
| Обратный фототок | 3 мA |
| Прямой ток | 5 мA |
| Рабочая температура | -60…+55°C |
| Температура хранения | -60…+70°C |
Спектральная характеристика
Обозначение выводов
Корпус ТО-5 (8 pins) |
 |
|