InGaAs PIN фотодиоды ДФД1000ТО

 

Особенности Высокая чувствительность на 1.3 мкм и 1.55 мкм Спектральный диапазон 0.95-1.7 мкм Низкий темновой ток Активный диаметр 1000 мкм Конструкция с вводом излучения через мезаструктуру Корпус типа ТО-18

Области применения Измерительная аппаратура для ВОЛС Сенсоры Спектроскопия Приемные модули с предусилителем

 

Краткое описание

PIN InGaAs/InP фотодиоды типа ДФД1000 созданы для прямого преобразования оптических сигналов в электрические в ближнем инфракрасном диапазоне. Модель ДФД1000 разработана для использования в качестве датчиков приема ИК оптического сигнала и имеет конструкцию с вводом излучения через мезаструктуру с относительно большими активными размерами 1000 мкм. Фотодетекторы ДФД1000 также могут использоваться для оптических линий связи. Фотодиод поставляется в корпусе типа ТО-18 со стеклянным окном.

 

Технические характеристики (V_r = – 5В, 25°C)

Модель	Фоточувств. площ., мкм	Спектральная чувствительность, А/Вт				Темновой ток, нА		Ёмкость, пФ		Корпусное исполнение
		1300 нм		1550 нм		тип	макс	тип	макс
		мин	тип	мин	тип
ДФД1000ТО	1000	0.75	0.85	0.80	0.90	20	40	35.0	40	С

 

Предельно допустимые значения

Параметр	Значение
Напряжение обратного смещения	10 В
Обратный фототок	3 мA
Прямой ток	5 мA
Рабочая температура	-60…+55°C
Температура хранения	-60…+70°C

 

 

Контакты:   1. Катод ("+" смещение) 2. Анод  ("–" смещение) 3. Корпус	Размеры: мм

 

Спектральная характеристика