InGaAs PIN фотодиоды ДФД2000ТО

 

Особенности Высокая чувствительность на 1.3 мкм и 1.55 мкм Спектральный диапазон 0.95-1.7 мкм Низкий темновой ток Активный диаметр приемной площадки 2000 мкм Конструкция с вводом излучения через мезаструктуру Корпус типа ТО-5

Области применения Тестовое оборудование для ВОЛС Термометрия Дальнометрия Спектроскопия

 

Краткое описание

PIN InGaAs/InP фотодиоды типа ДФД2000ТО созданы для прямого преобразования оптических сигналов в электрические в ближнем инфракрасном диапазоне. Модель ДФД2000ТО разработана для использования в качестве датчиков приема ИК оптического сигнала и имеет конструкцию с вводом излучения через мезаструктуру с большим активным размером 2000 мкм. Имеются два типа исполнения: кристалл на ситалловой подложке и корпус типа ТО-5 со стеклянным окном.

 

Технические характеристики (V_r = – 5В, 25°C)

Модель	Фоточувств. площ., мкм	Спектральная чувствительность, А/Вт				Темновой ток, нА		Ёмкость, пФ		Время откл., нс (тип)	Корпусное исполнение
		1300нм		1500нм		тип	макс	тип	макс
		мин	тип	мин	тип
ДФД2000ТО	2000	0.65	0.75	0.75	0.85	120	200	270	350	30	С
Корпус типа ТО-5 со стеклянным окном

 

Предельно допустимые значения

Параметр	Значение
Напряжение обратного смещения	10 В
Обратный фототок	3 мA
Прямой ток	5 мA
Рабочая температура	-60…+55°C
Температура хранения	-60…+70°C

 

Обозначение выводов

1. Анод  ("–" питания) 2. Корпус (соединен с выводом 3) 3. Катод ("+" питания)