Широкополосный микроволновый InGaAs PIN фотоприёмник ДФДМШ70-06

Особенности

Полоса пропускания 0.01–6.0 ГГц
Диапазон спектральной чувствительности 980-1650 нм
Низкое обратное отражение
Конструкция с вводом излучения через подложку
Одномодовое оптоволокно с оптическим разъемом
Коаксиальный СВЧ выходной разъем SMA-типа

Области применения

Высокоскоростные цифровые или широкополосные аналоговые волоконно-оптические линии связи
Техника антенн
Микроволновые линии задержки
СВЧ испытательное оборудование
Приемные модули с СВЧ предусилителем

Краткое описание

Микроволновый InGaAs PIN фотодетектор ДФДШМ70-06 разработан для прямого преобразования оптических импульсов пикосекундного диапазона и оптических сигналов с высокочастотной модуляцией до 6 ГГц в электрический выходной сигнал. Конструкция фотодетектора ДФДШМ70-06 содержит встроенный 50 Ом широкополосный согласующий резистор, эффективно сглаживающий частотную характеристику фотоприемника и обеспечивающий низкую величину КВСН во всём рабочем частотном диапазоне. ДФДШМ70-06 чувствителен на 1300 нм и 1550 нм. Оптический разъём типа FC/APC применяется для устранения обратного отражённого оптического сигнала для улучшения отношения С/Ш особенно в СВЧ-аналоговых линиях передачи данных. Вывод электрического сигнала – через малогабаритный СВЧ-разъём, напряжение смещения подаётся на фотодиод через встроенный фильтр питания.

Типовая схема создания волоконно-оптической линии передачи информации
на диапазон частот 0.1 – 6000 МГц

Типовая схема создания волоконно-оптической линии передачи информации на диапазон частот 0.1 - 6000 МГц

Передающий оптический
модуль ДМПО131-21
ДМПО155-21

Высокочастотный лазерный модуль ДМПО131-21 / ДМПО155-21

Драйвер питания
передающего модуля

Бескорпусной контроллер тока и температуры

Приемный оптический
модуль ДФДМШ70-06

Оптический изолятор
(при необходимости)

Технические характеристики (V_r = – 5 В, 25°C)

Модель	Фоточувствит. площадка, мкм	Спектральная чувствительн., А/Вт		Темновой ток, нА		Неравно- мерность АЧХ, дБ	Полоса пропускания (-3 дБ, 50 Ом), ГГц		Обратн. оптич. потери, дБ	Корпус исп.
		1300нм	1550нм	тип	макс	тип	мин	макс	макс
		тип	тип	тип	макс	тип	мин	макс	макс
ДФДШМ70-06	70	0.65^*	0.85^*	10	50	±3	0.01	6	–45	G
* Примечание: приведены эффективные значения на внешнем 50-Ом сопротивлении нагрузки, параллельном внутреннему 50-Ом согласующему резистору (результирующая нагрузка 25 Ом).

Предельно допустимые значения

Параметр	Значение
Напряжение обратного смещения	20 В
Обратный фототок	4 мA
Прямой ток	5 мA
Рабочая температура	–20…+55°C
Температура хранения	–20…+70°C

Щелкните по чертежу, чтобы увеличить изображение

Размеры: мм

Электрическая схема